電気・電子情報工学系 集積光デバイスグループhttp://www.int.ee.tut.ac.jp/photon/実用化に向けた課題・光変調器や受光器との集積化・1.55µm帯でのクラッド層の薄層化優位性・低価格で入手できる一般的なバルクSiウエハを利用したSiフォトニクス技術です。作製したチップの光学顕微鏡像の例−009−キーワードシリコンフォトニクス、バルクシリコン、光導波路、 低損失、窒化シリコン研究段階基礎企業等への提案この技術にご興味をお持ちの企業の技術相談や、共同研究等をご検討の際にはご連絡ください。実証実用化準備加工・処理Si系光導波路電気・電子情報工学系石川 靖彦 教授研究者情報：https://researchmap.jp/read0055970概要集情SiやSi窒化膜を用いた光導波路によって、Siチップ上で自在に光を伝搬でき、大容量の光通信チップ(波長1.3 - 1.6 µm)やAIチップのような高性能LSI用の光配線が実現できます。従来の報積SOI(Si-on-insulator)ウエハを用いる方法に加え、標準的なSiウエハを利用する技術の開発を目指しています。通光従来技術信デ・SOIウエハは、埋め込みSiO2層が数μmと厚いなどエレクトロニクス用と仕様が大きく異なり、かつ高価格です。のバ特徴イ低一般的なバルクSiウエハを利用したSiフォトニクスの実現の鍵は、下記の特性を実現する点にあります。電ス1.低損失な光導波路力のSi系誘電体堆積膜を加工して、低損失な光導波路を形成することが必要です。光導波路を多層化することを考えると、1 μm程度の薄いクラッド層を用いることも重要です。これまでに反応性スパッタ法によるSiNx堆積膜(独自手法)を用いて、低損失なSiNx光導波路(波長1.31µmおよび化実1.55µmとも1 dB/cm以下)、多モード干渉を利用した1×2分岐導波路、リング光共振器(合分波素子)を実現しています。波長1.31µmにおいては、1 μm程度の薄いクラッド層を利用できることも・現実証しています。2.光変調器や受光器との集積化大を光変調器や受光器と集積することで、高性能・高機能な光通信チップが実現できます。これらの素子には半導体pn接合を用いる必要があり、さらに上記のSiNx容目光導波路と集積化することも要求されます。SiあるいはGe堆積膜を利用したデバイスの設計・試作を進めて指量います。化しにてい対実用化イメージ、想定される用途・情報通信での高性能な光デバイスを低価格応ま化すする
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